Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9910
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF9910
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Výkon - Max
2W
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A, 12A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.55V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
900pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40858 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9910
IRF9910 Elektronické komponenty
IRF9910 Odbyt
IRF9910 Dodavatel
IRF9910 Distributor
IRF9910 Datová tabulka
IRF9910 Fotky
IRF9910 Cena
IRF9910 Nabídka
IRF9910 Nejnižší cena
IRF9910 Vyhledávání
IRF9910 Nákup
IRF9910 Chip