Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9530NS
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Číslo dílu
IRF9530NS
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
3.8W (Ta), 79W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
58nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46955 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9530NS
IRF9530NS Elektronické komponenty
IRF9530NS Odbyt
IRF9530NS Dodavatel
IRF9530NS Distributor
IRF9530NS Datová tabulka
IRF9530NS Fotky
IRF9530NS Cena
IRF9530NS Nabídka
IRF9530NS Nejnižší cena
IRF9530NS Vyhledávání
IRF9530NS Nákup
IRF9530NS Chip