Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9333TRPBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF9333TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
19.4 mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28762 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9333TRPBF
IRF9333TRPBF Elektronické komponenty
IRF9333TRPBF Odbyt
IRF9333TRPBF Dodavatel
IRF9333TRPBF Distributor
IRF9333TRPBF Datová tabulka
IRF9333TRPBF Fotky
IRF9333TRPBF Cena
IRF9333TRPBF Nabídka
IRF9333TRPBF Nejnižší cena
IRF9333TRPBF Vyhledávání
IRF9333TRPBF Nákup
IRF9333TRPBF Chip