Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9333PBF
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SO
Číslo dílu
IRF9333PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
19.4 mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38915 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9333PBF
IRF9333PBF Elektronické komponenty
IRF9333PBF Odbyt
IRF9333PBF Dodavatel
IRF9333PBF Distributor
IRF9333PBF Datová tabulka
IRF9333PBF Fotky
IRF9333PBF Cena
IRF9333PBF Nabídka
IRF9333PBF Nejnižší cena
IRF9333PBF Vyhledávání
IRF9333PBF Nákup
IRF9333PBF Chip