Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF9332PBF
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
Číslo dílu
IRF9332PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
17.5 mOhm @ 9.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1270pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 17529 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9332PBF
IRF9332PBF Elektronické komponenty
IRF9332PBF Odbyt
IRF9332PBF Dodavatel
IRF9332PBF Distributor
IRF9332PBF Datová tabulka
IRF9332PBF Fotky
IRF9332PBF Cena
IRF9332PBF Nabídka
IRF9332PBF Nejnižší cena
IRF9332PBF Vyhledávání
IRF9332PBF Nákup
IRF9332PBF Chip