IRF9317TRPBF
MOSFET P-CH 30V 16A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF9317TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.6 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
92nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2820pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19649 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF9317TRPBF
IRF9317TRPBF Elektronické komponenty
IRF9317TRPBF Odbyt
IRF9317TRPBF Dodavatel
IRF9317TRPBF Distributor
IRF9317TRPBF Datová tabulka
IRF9317TRPBF Fotky
IRF9317TRPBF Cena
IRF9317TRPBF Nabídka
IRF9317TRPBF Nejnižší cena
IRF9317TRPBF Vyhledávání
IRF9317TRPBF Nákup
IRF9317TRPBF Chip