IRF8788TRPBF
MOSFET N-CH 30V 24A 8-SO
Číslo dílu
IRF8788TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
24A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.8 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5720pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18178 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8788TRPBF
IRF8788TRPBF Elektronické komponenty
IRF8788TRPBF Odbyt
IRF8788TRPBF Dodavatel
IRF8788TRPBF Distributor
IRF8788TRPBF Datová tabulka
IRF8788TRPBF Fotky
IRF8788TRPBF Cena
IRF8788TRPBF Nabídka
IRF8788TRPBF Nejnižší cena
IRF8788TRPBF Vyhledávání
IRF8788TRPBF Nákup
IRF8788TRPBF Chip