Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF8736PBF
MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF8736PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.8 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2315pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49830 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8736PBF
IRF8736PBF Elektronické komponenty
IRF8736PBF Odbyt
IRF8736PBF Dodavatel
IRF8736PBF Distributor
IRF8736PBF Datová tabulka
IRF8736PBF Fotky
IRF8736PBF Cena
IRF8736PBF Nabídka
IRF8736PBF Nejnižší cena
IRF8736PBF Vyhledávání
IRF8736PBF Nákup
IRF8736PBF Chip