Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF8714PBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF8714PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.7 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1020pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24902 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8714PBF
IRF8714PBF Elektronické komponenty
IRF8714PBF Odbyt
IRF8714PBF Dodavatel
IRF8714PBF Distributor
IRF8714PBF Datová tabulka
IRF8714PBF Fotky
IRF8714PBF Cena
IRF8714PBF Nabídka
IRF8714PBF Nejnižší cena
IRF8714PBF Vyhledávání
IRF8714PBF Nákup
IRF8714PBF Chip