IRF8707TRPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF8707TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11.9 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48232 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8707TRPBF
IRF8707TRPBF Elektronické komponenty
IRF8707TRPBF Odbyt
IRF8707TRPBF Dodavatel
IRF8707TRPBF Distributor
IRF8707TRPBF Datová tabulka
IRF8707TRPBF Fotky
IRF8707TRPBF Cena
IRF8707TRPBF Nabídka
IRF8707TRPBF Nejnižší cena
IRF8707TRPBF Vyhledávání
IRF8707TRPBF Nákup
IRF8707TRPBF Chip