Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF8707PBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF8707PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11.9 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42786 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8707PBF
IRF8707PBF Elektronické komponenty
IRF8707PBF Odbyt
IRF8707PBF Dodavatel
IRF8707PBF Distributor
IRF8707PBF Datová tabulka
IRF8707PBF Fotky
IRF8707PBF Cena
IRF8707PBF Nabídka
IRF8707PBF Nejnižší cena
IRF8707PBF Vyhledávání
IRF8707PBF Nákup
IRF8707PBF Chip