Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF8707GTRPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF8707GTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11.9 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8847 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8707GTRPBF
IRF8707GTRPBF Elektronické komponenty
IRF8707GTRPBF Odbyt
IRF8707GTRPBF Dodavatel
IRF8707GTRPBF Distributor
IRF8707GTRPBF Datová tabulka
IRF8707GTRPBF Fotky
IRF8707GTRPBF Cena
IRF8707GTRPBF Nabídka
IRF8707GTRPBF Nejnižší cena
IRF8707GTRPBF Vyhledávání
IRF8707GTRPBF Nákup
IRF8707GTRPBF Chip