Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF8302MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 31A MX
Číslo dílu
IRF8302MTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MX
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MX
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31A (Ta), 190A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.8 mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6030pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36859 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8302MTRPBF
IRF8302MTRPBF Elektronické komponenty
IRF8302MTRPBF Odbyt
IRF8302MTRPBF Dodavatel
IRF8302MTRPBF Distributor
IRF8302MTRPBF Datová tabulka
IRF8302MTRPBF Fotky
IRF8302MTRPBF Cena
IRF8302MTRPBF Nabídka
IRF8302MTRPBF Nejnižší cena
IRF8302MTRPBF Vyhledávání
IRF8302MTRPBF Nákup
IRF8302MTRPBF Chip