IRF8301MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
Číslo dílu
IRF8301MTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MT
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MT
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
34A (Ta), 192A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
77nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6140pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26032 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8301MTRPBF
IRF8301MTRPBF Elektronické komponenty
IRF8301MTRPBF Odbyt
IRF8301MTRPBF Dodavatel
IRF8301MTRPBF Distributor
IRF8301MTRPBF Datová tabulka
IRF8301MTRPBF Fotky
IRF8301MTRPBF Cena
IRF8301MTRPBF Nabídka
IRF8301MTRPBF Nejnižší cena
IRF8301MTRPBF Vyhledávání
IRF8301MTRPBF Nákup
IRF8301MTRPBF Chip