Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF8113GPBF
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
Číslo dílu
IRF8113GPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.6 mOhm @ 17.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2910pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50635 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF8113GPBF
IRF8113GPBF Elektronické komponenty
IRF8113GPBF Odbyt
IRF8113GPBF Dodavatel
IRF8113GPBF Distributor
IRF8113GPBF Datová tabulka
IRF8113GPBF Fotky
IRF8113GPBF Cena
IRF8113GPBF Nabídka
IRF8113GPBF Nejnižší cena
IRF8113GPBF Vyhledávání
IRF8113GPBF Nákup
IRF8113GPBF Chip