IRF7862TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7862TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
21A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4090pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53968 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7862TRPBF
IRF7862TRPBF Elektronické komponenty
IRF7862TRPBF Odbyt
IRF7862TRPBF Dodavatel
IRF7862TRPBF Distributor
IRF7862TRPBF Datová tabulka
IRF7862TRPBF Fotky
IRF7862TRPBF Cena
IRF7862TRPBF Nabídka
IRF7862TRPBF Nejnižší cena
IRF7862TRPBF Vyhledávání
IRF7862TRPBF Nákup
IRF7862TRPBF Chip