Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7855TRPBF
MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7855TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.4 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1560pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12831 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7855TRPBF
IRF7855TRPBF Elektronické komponenty
IRF7855TRPBF Odbyt
IRF7855TRPBF Dodavatel
IRF7855TRPBF Distributor
IRF7855TRPBF Datová tabulka
IRF7855TRPBF Fotky
IRF7855TRPBF Cena
IRF7855TRPBF Nabídka
IRF7855TRPBF Nejnižší cena
IRF7855TRPBF Vyhledávání
IRF7855TRPBF Nákup
IRF7855TRPBF Chip