Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7855PBF
MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7855PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.4 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1560pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5268 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7855PBF
IRF7855PBF Elektronické komponenty
IRF7855PBF Odbyt
IRF7855PBF Dodavatel
IRF7855PBF Distributor
IRF7855PBF Datová tabulka
IRF7855PBF Fotky
IRF7855PBF Cena
IRF7855PBF Nabídka
IRF7855PBF Nejnižší cena
IRF7855PBF Vyhledávání
IRF7855PBF Nákup
IRF7855PBF Chip