Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7853TRPBF
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7853TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
18 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1640pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39089 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7853TRPBF
IRF7853TRPBF Elektronické komponenty
IRF7853TRPBF Odbyt
IRF7853TRPBF Dodavatel
IRF7853TRPBF Distributor
IRF7853TRPBF Datová tabulka
IRF7853TRPBF Fotky
IRF7853TRPBF Cena
IRF7853TRPBF Nabídka
IRF7853TRPBF Nejnižší cena
IRF7853TRPBF Vyhledávání
IRF7853TRPBF Nákup
IRF7853TRPBF Chip