Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7853PBF
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7853PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
18 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1640pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24037 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7853PBF
IRF7853PBF Elektronické komponenty
IRF7853PBF Odbyt
IRF7853PBF Dodavatel
IRF7853PBF Distributor
IRF7853PBF Datová tabulka
IRF7853PBF Fotky
IRF7853PBF Cena
IRF7853PBF Nabídka
IRF7853PBF Nejnižší cena
IRF7853PBF Vyhledávání
IRF7853PBF Nákup
IRF7853PBF Chip