IRF7842TRPBF
MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7842TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25316 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7842TRPBF
IRF7842TRPBF Elektronické komponenty
IRF7842TRPBF Odbyt
IRF7842TRPBF Dodavatel
IRF7842TRPBF Distributor
IRF7842TRPBF Datová tabulka
IRF7842TRPBF Fotky
IRF7842TRPBF Cena
IRF7842TRPBF Nabídka
IRF7842TRPBF Nejnižší cena
IRF7842TRPBF Vyhledávání
IRF7842TRPBF Nákup
IRF7842TRPBF Chip