Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7842TR
MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7842TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20874 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7842TR
IRF7842TR Elektronické komponenty
IRF7842TR Odbyt
IRF7842TR Dodavatel
IRF7842TR Distributor
IRF7842TR Datová tabulka
IRF7842TR Fotky
IRF7842TR Cena
IRF7842TR Nabídka
IRF7842TR Nejnižší cena
IRF7842TR Vyhledávání
IRF7842TR Nákup
IRF7842TR Chip