Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7842PBF
MOSFET N-CH 40V 18A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7842PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4500pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18202 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7842PBF
IRF7842PBF Elektronické komponenty
IRF7842PBF Odbyt
IRF7842PBF Dodavatel
IRF7842PBF Distributor
IRF7842PBF Datová tabulka
IRF7842PBF Fotky
IRF7842PBF Cena
IRF7842PBF Nabídka
IRF7842PBF Nejnižší cena
IRF7842PBF Vyhledávání
IRF7842PBF Nákup
IRF7842PBF Chip