Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7832TR
MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7832TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 155°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
20A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.32V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4310pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47910 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7832TR
IRF7832TR Elektronické komponenty
IRF7832TR Odbyt
IRF7832TR Dodavatel
IRF7832TR Distributor
IRF7832TR Datová tabulka
IRF7832TR Fotky
IRF7832TR Cena
IRF7832TR Nabídka
IRF7832TR Nejnižší cena
IRF7832TR Vyhledávání
IRF7832TR Nákup
IRF7832TR Chip