Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7828PBF
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7828PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13.6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1010pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10649 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7828PBF
IRF7828PBF Elektronické komponenty
IRF7828PBF Odbyt
IRF7828PBF Dodavatel
IRF7828PBF Distributor
IRF7828PBF Datová tabulka
IRF7828PBF Fotky
IRF7828PBF Cena
IRF7828PBF Nabídka
IRF7828PBF Nejnižší cena
IRF7828PBF Vyhledávání
IRF7828PBF Nákup
IRF7828PBF Chip