IRF7821TRPBF
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7821TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 155°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13.6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.1 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1010pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45022 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7821TRPBF
IRF7821TRPBF Elektronické komponenty
IRF7821TRPBF Odbyt
IRF7821TRPBF Dodavatel
IRF7821TRPBF Distributor
IRF7821TRPBF Datová tabulka
IRF7821TRPBF Fotky
IRF7821TRPBF Cena
IRF7821TRPBF Nabídka
IRF7821TRPBF Nejnižší cena
IRF7821TRPBF Vyhledávání
IRF7821TRPBF Nákup
IRF7821TRPBF Chip