Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7821TR
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7821TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 155°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13.6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.1 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1010pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38946 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7821TR
IRF7821TR Elektronické komponenty
IRF7821TR Odbyt
IRF7821TR Dodavatel
IRF7821TR Distributor
IRF7821TR Datová tabulka
IRF7821TR Fotky
IRF7821TR Cena
IRF7821TR Nabídka
IRF7821TR Nejnižší cena
IRF7821TR Vyhledávání
IRF7821TR Nákup
IRF7821TR Chip