Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7821PBF
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7821PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 155°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13.6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.1 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1010pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49809 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7821PBF
IRF7821PBF Elektronické komponenty
IRF7821PBF Odbyt
IRF7821PBF Dodavatel
IRF7821PBF Distributor
IRF7821PBF Datová tabulka
IRF7821PBF Fotky
IRF7821PBF Cena
IRF7821PBF Nabídka
IRF7821PBF Nejnižší cena
IRF7821PBF Vyhledávání
IRF7821PBF Nákup
IRF7821PBF Chip