IRF7820TRPBF
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Číslo dílu
IRF7820TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
78 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1750pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48465 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7820TRPBF
IRF7820TRPBF Elektronické komponenty
IRF7820TRPBF Odbyt
IRF7820TRPBF Dodavatel
IRF7820TRPBF Distributor
IRF7820TRPBF Datová tabulka
IRF7820TRPBF Fotky
IRF7820TRPBF Cena
IRF7820TRPBF Nabídka
IRF7820TRPBF Nejnižší cena
IRF7820TRPBF Vyhledávání
IRF7820TRPBF Nákup
IRF7820TRPBF Chip