IRF7815TRPBF
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7815TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
43 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1647pF @ 75V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32556 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7815TRPBF
IRF7815TRPBF Elektronické komponenty
IRF7815TRPBF Odbyt
IRF7815TRPBF Dodavatel
IRF7815TRPBF Distributor
IRF7815TRPBF Datová tabulka
IRF7815TRPBF Fotky
IRF7815TRPBF Cena
IRF7815TRPBF Nabídka
IRF7815TRPBF Nejnižší cena
IRF7815TRPBF Vyhledávání
IRF7815TRPBF Nákup
IRF7815TRPBF Chip