Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7815PBF
MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7815PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.1A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
43 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1647pF @ 75V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37283 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7815PBF
IRF7815PBF Elektronické komponenty
IRF7815PBF Odbyt
IRF7815PBF Dodavatel
IRF7815PBF Distributor
IRF7815PBF Datová tabulka
IRF7815PBF Fotky
IRF7815PBF Cena
IRF7815PBF Nabídka
IRF7815PBF Nejnižší cena
IRF7815PBF Vyhledávání
IRF7815PBF Nákup
IRF7815PBF Chip