IRF7811WTRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7811WTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
3.1W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2335pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43317 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7811WTRPBF
IRF7811WTRPBF Elektronické komponenty
IRF7811WTRPBF Odbyt
IRF7811WTRPBF Dodavatel
IRF7811WTRPBF Distributor
IRF7811WTRPBF Datová tabulka
IRF7811WTRPBF Fotky
IRF7811WTRPBF Cena
IRF7811WTRPBF Nabídka
IRF7811WTRPBF Nejnižší cena
IRF7811WTRPBF Vyhledávání
IRF7811WTRPBF Nákup
IRF7811WTRPBF Chip