Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7811AVTR
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7811AVTR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1801pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34668 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7811AVTR
IRF7811AVTR Elektronické komponenty
IRF7811AVTR Odbyt
IRF7811AVTR Dodavatel
IRF7811AVTR Distributor
IRF7811AVTR Datová tabulka
IRF7811AVTR Fotky
IRF7811AVTR Cena
IRF7811AVTR Nabídka
IRF7811AVTR Nejnižší cena
IRF7811AVTR Vyhledávání
IRF7811AVTR Nákup
IRF7811AVTR Chip