IRF7809AVTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7809AVTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3780pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38299 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7809AVTRPBF
IRF7809AVTRPBF Elektronické komponenty
IRF7809AVTRPBF Odbyt
IRF7809AVTRPBF Dodavatel
IRF7809AVTRPBF Distributor
IRF7809AVTRPBF Datová tabulka
IRF7809AVTRPBF Fotky
IRF7809AVTRPBF Cena
IRF7809AVTRPBF Nabídka
IRF7809AVTRPBF Nejnižší cena
IRF7809AVTRPBF Vyhledávání
IRF7809AVTRPBF Nákup
IRF7809AVTRPBF Chip