Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7809ATR

IRF7809ATR

MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7809ATR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
14.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7300pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24337 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRF7809ATR
IRF7809ATR Elektronické komponenty
IRF7809ATR Odbyt
IRF7809ATR Dodavatel
IRF7809ATR Distributor
IRF7809ATR Datová tabulka
IRF7809ATR Fotky
IRF7809ATR Cena
IRF7809ATR Nabídka
IRF7809ATR Nejnižší cena
IRF7809ATR Vyhledávání
IRF7809ATR Nákup
IRF7809ATR Chip