IRF7807ZTRPBF
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7807ZTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.8 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
770pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21749 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7807ZTRPBF
IRF7807ZTRPBF Elektronické komponenty
IRF7807ZTRPBF Odbyt
IRF7807ZTRPBF Dodavatel
IRF7807ZTRPBF Distributor
IRF7807ZTRPBF Datová tabulka
IRF7807ZTRPBF Fotky
IRF7807ZTRPBF Cena
IRF7807ZTRPBF Nabídka
IRF7807ZTRPBF Nejnižší cena
IRF7807ZTRPBF Vyhledávání
IRF7807ZTRPBF Nákup
IRF7807ZTRPBF Chip