Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7807ZPBF
HEX/MOS N-CH 30V 11A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7807ZPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13.8 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
770pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40907 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7807ZPBF
IRF7807ZPBF Elektronické komponenty
IRF7807ZPBF Odbyt
IRF7807ZPBF Dodavatel
IRF7807ZPBF Distributor
IRF7807ZPBF Datová tabulka
IRF7807ZPBF Fotky
IRF7807ZPBF Cena
IRF7807ZPBF Nabídka
IRF7807ZPBF Nejnižší cena
IRF7807ZPBF Vyhledávání
IRF7807ZPBF Nákup
IRF7807ZPBF Chip