IRF7807VTRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7807VTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45257 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7807VTRPBF
IRF7807VTRPBF Elektronické komponenty
IRF7807VTRPBF Odbyt
IRF7807VTRPBF Dodavatel
IRF7807VTRPBF Distributor
IRF7807VTRPBF Datová tabulka
IRF7807VTRPBF Fotky
IRF7807VTRPBF Cena
IRF7807VTRPBF Nabídka
IRF7807VTRPBF Nejnižší cena
IRF7807VTRPBF Vyhledávání
IRF7807VTRPBF Nákup
IRF7807VTRPBF Chip