Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7807VPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7807VPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37182 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7807VPBF
IRF7807VPBF Elektronické komponenty
IRF7807VPBF Odbyt
IRF7807VPBF Dodavatel
IRF7807VPBF Distributor
IRF7807VPBF Datová tabulka
IRF7807VPBF Fotky
IRF7807VPBF Cena
IRF7807VPBF Nabídka
IRF7807VPBF Nejnižší cena
IRF7807VPBF Vyhledávání
IRF7807VPBF Nákup
IRF7807VPBF Chip