IRF7807VD1TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7807VD1TRPBF
Výrobce/značka
Série
FETKY™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11099 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7807VD1TRPBF
IRF7807VD1TRPBF Elektronické komponenty
IRF7807VD1TRPBF Odbyt
IRF7807VD1TRPBF Dodavatel
IRF7807VD1TRPBF Distributor
IRF7807VD1TRPBF Datová tabulka
IRF7807VD1TRPBF Fotky
IRF7807VD1TRPBF Cena
IRF7807VD1TRPBF Nabídka
IRF7807VD1TRPBF Nejnižší cena
IRF7807VD1TRPBF Vyhledávání
IRF7807VD1TRPBF Nákup
IRF7807VD1TRPBF Chip