Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7807VD1TR
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7807VD1TR
Výrobce/značka
Série
FETKY™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33316 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7807VD1TR
IRF7807VD1TR Elektronické komponenty
IRF7807VD1TR Odbyt
IRF7807VD1TR Dodavatel
IRF7807VD1TR Distributor
IRF7807VD1TR Datová tabulka
IRF7807VD1TR Fotky
IRF7807VD1TR Cena
IRF7807VD1TR Nabídka
IRF7807VD1TR Nejnižší cena
IRF7807VD1TR Vyhledávání
IRF7807VD1TR Nákup
IRF7807VD1TR Chip