IRF7807TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7807TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19767 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7807TRPBF
IRF7807TRPBF Elektronické komponenty
IRF7807TRPBF Odbyt
IRF7807TRPBF Dodavatel
IRF7807TRPBF Distributor
IRF7807TRPBF Datová tabulka
IRF7807TRPBF Fotky
IRF7807TRPBF Cena
IRF7807TRPBF Nabídka
IRF7807TRPBF Nejnižší cena
IRF7807TRPBF Vyhledávání
IRF7807TRPBF Nákup
IRF7807TRPBF Chip