IRF7807D2TRPBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7807D2TRPBF
Výrobce/značka
Série
FETKY™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26535 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7807D2TRPBF
IRF7807D2TRPBF Elektronické komponenty
IRF7807D2TRPBF Odbyt
IRF7807D2TRPBF Dodavatel
IRF7807D2TRPBF Distributor
IRF7807D2TRPBF Datová tabulka
IRF7807D2TRPBF Fotky
IRF7807D2TRPBF Cena
IRF7807D2TRPBF Nabídka
IRF7807D2TRPBF Nejnižší cena
IRF7807D2TRPBF Vyhledávání
IRF7807D2TRPBF Nákup
IRF7807D2TRPBF Chip