Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7807ATR
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7807ATR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15013 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7807ATR
IRF7807ATR Elektronické komponenty
IRF7807ATR Odbyt
IRF7807ATR Dodavatel
IRF7807ATR Distributor
IRF7807ATR Datová tabulka
IRF7807ATR Fotky
IRF7807ATR Cena
IRF7807ATR Nabídka
IRF7807ATR Nejnižší cena
IRF7807ATR Vyhledávání
IRF7807ATR Nákup
IRF7807ATR Chip