Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7807APBF
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7807APBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29135 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7807APBF
IRF7807APBF Elektronické komponenty
IRF7807APBF Odbyt
IRF7807APBF Dodavatel
IRF7807APBF Distributor
IRF7807APBF Datová tabulka
IRF7807APBF Fotky
IRF7807APBF Cena
IRF7807APBF Nabídka
IRF7807APBF Nejnižší cena
IRF7807APBF Vyhledávání
IRF7807APBF Nákup
IRF7807APBF Chip