Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7805PBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Číslo dílu
IRF7805PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41430 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7805PBF
IRF7805PBF Elektronické komponenty
IRF7805PBF Odbyt
IRF7805PBF Dodavatel
IRF7805PBF Distributor
IRF7805PBF Datová tabulka
IRF7805PBF Fotky
IRF7805PBF Cena
IRF7805PBF Nabídka
IRF7805PBF Nejnižší cena
IRF7805PBF Vyhledávání
IRF7805PBF Nákup
IRF7805PBF Chip