IRF7799L2TRPBF
MOSFET N-CH 250V DIRECTFET L8
Číslo dílu
IRF7799L2TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric L8
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET L8
Ztráta energie (max.)
4.3W (Ta), 125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
375A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
38 mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
165nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6714pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7625 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7799L2TRPBF
IRF7799L2TRPBF Elektronické komponenty
IRF7799L2TRPBF Odbyt
IRF7799L2TRPBF Dodavatel
IRF7799L2TRPBF Distributor
IRF7799L2TRPBF Datová tabulka
IRF7799L2TRPBF Fotky
IRF7799L2TRPBF Cena
IRF7799L2TRPBF Nabídka
IRF7799L2TRPBF Nejnižší cena
IRF7799L2TRPBF Vyhledávání
IRF7799L2TRPBF Nákup
IRF7799L2TRPBF Chip