IRF7769L2TRPBF
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET L8
Číslo dílu
IRF7769L2TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric L8
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET L8
Ztráta energie (max.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
375A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.5 mOhm @ 74A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11560pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43339 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7769L2TRPBF
IRF7769L2TRPBF Elektronické komponenty
IRF7769L2TRPBF Odbyt
IRF7769L2TRPBF Dodavatel
IRF7769L2TRPBF Distributor
IRF7769L2TRPBF Datová tabulka
IRF7769L2TRPBF Fotky
IRF7769L2TRPBF Cena
IRF7769L2TRPBF Nabídka
IRF7769L2TRPBF Nejnižší cena
IRF7769L2TRPBF Vyhledávání
IRF7769L2TRPBF Nákup
IRF7769L2TRPBF Chip