Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7769L2TR1PBF
MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF7769L2TR1PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric L8
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET L8
Ztráta energie (max.)
3.3W (Ta), 125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
375A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.5 mOhm @ 74A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11560pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 12627 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7769L2TR1PBF
IRF7769L2TR1PBF Elektronické komponenty
IRF7769L2TR1PBF Odbyt
IRF7769L2TR1PBF Dodavatel
IRF7769L2TR1PBF Distributor
IRF7769L2TR1PBF Datová tabulka
IRF7769L2TR1PBF Fotky
IRF7769L2TR1PBF Cena
IRF7769L2TR1PBF Nabídka
IRF7769L2TR1PBF Nejnižší cena
IRF7769L2TR1PBF Vyhledávání
IRF7769L2TR1PBF Nákup
IRF7769L2TR1PBF Chip