Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF7707TR
MOSFET P-CH 20V 7A 8-TSSOP
Číslo dílu
IRF7707TR
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSSOP
Ztráta energie (max.)
1.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2361pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18021 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF7707TR
IRF7707TR Elektronické komponenty
IRF7707TR Odbyt
IRF7707TR Dodavatel
IRF7707TR Distributor
IRF7707TR Datová tabulka
IRF7707TR Fotky
IRF7707TR Cena
IRF7707TR Nabídka
IRF7707TR Nejnižší cena
IRF7707TR Vyhledávání
IRF7707TR Nákup
IRF7707TR Chip